如果要在半導體基材上沉積氮化硅，有兩種方法可供使用：
利用低壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)在相對較高的溫度下利用垂直或水平管式爐進(jìn)行。
等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)在溫度相對較低的真空條件下進(jìn)行。
氮化硅的晶胞參數與單質(zhì)硅不同。因此根據沉積方法的不同，生成的氮化硅薄膜會(huì )有產(chǎn)生張力或應力。特別是當使用等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)時(shí)，能通過(guò)調節沉積參數來(lái)減少張力。